MOS ICs & Technology Pro

MOS ICs & Technology App per corsi, lezioni, note e libri per studenti.

Note su MOS IC e tecnologia (circuito integrato) per un facile apprendimento e apprendimento rapido. Questa app è in realtà un manuale, che copre tutti gli argomenti della materia. Puoi considerare questa App come una nota che i docenti guidano in un'aula.

Puoi facilmente passare e superare i tuoi esami e le tue interviste se hai questa App sul tuo telefono cellulare e dare una panoramica per alcuni giorni.

Riguarda 114 argomenti di MOS IC e tecnologia in dettaglio. Questi 114 argomenti sono divisi in 8 unità

Alcuni argomenti trattati in questa applicazione sono:

1. Legge di Moore.

2. Confronto delle tecnologie disponibili

3. Transistori MOS di base

4. Modalità di miglioramento Azione transistor:

5. Fabbricazione NMOS:

6. Fabbricazione di CMOS- P-WELL PROCESS

7. Fabbricazione della CMOS: processo N-WELL:

8. Processo di fabbricazione CMOS-Twin-tub

9. Tecnologia Bi-CMOS: - (CMOS bipolare):

10. Produzione di maschere e-beam

11. Introduzione al transistor MOS

12. Relazione tra Vgs e Ids, per Vds fissi

13. Equazioni MOS (equazioni di base DC):

14. Effetti del secondo ordine

15. CMOS INVETER CARATTERISTICHE

16. Caratteristiche dell'inverter DC

17. Derivazione grafica delle caratteristiche DC dell'inverter

18. Margine di rumore

19. Inverter MOS con carico statico

20. Cancelli di trasmissione

21. Tristate Inverter

22. Schemi di stick: codifiche per il processo NMOS

23. Codifiche per il processo CMOS

24. Codifica per BJT e MOSFET

25. Stile di design NMOS e CMOS

26. Regole di progettazione - MOS IC e tecnologia

27. Via

28. Regole di progettazione basate su lambda CMOS

29. Processo CMOS Orbit 2um

30. Stima della resistenza.

31. Resistenza del foglio dei transistor mos

32. Stima della capacità

33. Ritardo

34. Ritardi dell'invertitore

35. Stima formale del ritardo

36. Guidare un grande carico capacitivo

37. Valore ottimale di f

38. Super buffer

39. Driver Bicmos

40. Ritardo di propagazione

41. Altre fonti di capacità

42. Scelta degli strati

43. Ridimensionamento dei dispositivi mos

44. Progettazione fisica di base: una panoramica

45. Progettazione fisica di base: una panoramica

46. ​​Schema e layout delle porte di base: Inverter Gate

47. Schema e layout delle porte di base: NAND e NOR Gate

48. Cancello di trasmissione

49. Design della cella standard CMOS

50. Ottimizzazione del layout per le prestazioni

51. Linee guida generali di layout

52. Logica BICMOS

53. Logica pseudo nmos

54. Altre varianti di pseudo nmos: logica multi-drain e logica Ganged

55. Altre variazioni di pseudo nmos - Logica CMOS dinamica

56. Altre varianti di pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. Logica domino CMOS

58. Logica dell'interruttore di tensione in cascata

59. Passa la logica del transistor

60. Strutture del circuito logico della tecnologia CMOS

61. Scala dei circuiti MOS

62. Scalabilità della tecnologia

63. Roadmap tecnologica internazionale per semiconduttori (ITRS)

64. Scaling di modelli e fattori di scala per i parametri del dispositivo

65. Implicazioni di scala

66. Interconnect Woes

67. Raggio raggiungibile

68. Potere dinamico e statico

69. Produttività e limiti fisici

70. Limitazioni di ridimensionamento

71. Substrazione del doping

72. Larghezza di esaurimento

73. Limiti di miniaturizzazione

74. Limiti di interconnessione e resistenza di contatto

75. Limiti dovuti a correnti di sottosoglia

76. Limiti dovuti a correnti di sottosoglia

77. sistema

78. Flusso di progettazione VLSI

79. 3 Approccio alla progettazione strutturata

80. Regolarità

81. MOSFET come interruttore

82. Collegamento in parallelo e in serie di interruttori

83. INVERTER CMOS

84. Design del cancello NAND

85. NOR gate Design

86. Proprietà CMOS

87. Porte complesse

88. Porte complesse AOI

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